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▲その他の6月セミナー
会 場 (株)日本テクノセンター研修室 【東京・新宿区】
日 時 2010 年6月21日 (月) 10:30〜17:30
定 員 30名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。
聴講料 1名につき:47,250円
※同一法人より2名以上でのお申し込みの場合、1名につき42,000円
■講師の言葉
近年、小型化に対応するため、貫通電極を使って積層する3次元実装の技術が注目を浴びている。また、金の使用量を減らすといった理由からも、ワイヤボンディングに代わる技術として使われ始めている。
本セミナーでは、3次元LSI技術の基礎的な話、予想されるデバイス・プロセスの課題、信頼性上の問題、不良解析手法について解説する。1日の講義を通して、以下のような技術の習得が期待できる。
・ウェハを薄くする技術
・精密に堆積する技術
・ウェハを接着する技術
・微細な埋込配線を形成する技術
・微小な電極を形成する技術
また、ザイキューブの3次元LSI技術を中心に、各社、各機関の技術を紹介する。具体的な事例を通して、より理解が深まるだろう。
１. 序論
1.三次元LSIの利点
2.歴史
a.レーザー再結晶化による三次元LSI
b.積層型3次元LSI
3.アプリケーション
２. 三次元LSI技術
1.技術選択の要因
2.技術ブレークダウン
3.貫通配線
a.プロセス
b.スケーリング
4.積層方法
5.各社・各研究機関の三次元LSI技術
３. 三次元LSI技術の事例
1.現行の貫通配線技術を使ったイメージセンサ用チップサイズパッケージ
2.次世代三次元LSI技術
a.5μmピッチマイクロバンプ
b.5μmピッチ貫通配線
c.積層技術
d.アプリケーション
４.まとめ
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