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会 場 (株)日本テクノセンター研修室 【東京・新宿区】
日 時 2010 年6月 1日 (火) 10:30〜17:30
定 員 30名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。
聴講料 1名につき47,250円
※同一法人より2名以上でのお申し込みの場合、1名につき42,000円
■講師の言葉
酸化物TFTの動作原理と電気性能に関して、基礎から応用まで広く解説する。特に、材料、プロセス、デバイス構造と電気性能や信頼性について、解説する。また、スパッタ法やALD(原子層堆積法)法など、プロセスの違いにも着目する。また、最も重要な信頼性に関して、評価手法、劣化メカニズムや信頼性向上対策を詳しく解説する。非晶質シリコンや多結晶シリコンのTFTと比較を行いながら、その違いと類似性について議論する。さらに、酸化物TFTの今後の展開についても紹介する。
１.TFTの基礎
1.TFTの歴史
2.TFTの動作理論
3.TFTの評価技術
２. SI系TFTの製造技術
1.薄膜形成技術
2.トランジスタ製造技術
3.信頼性向上技術
３. 酸化物材料の基礎
1.酸化物材料の歴史
2.酸化物材料の電気伝導
3.薄膜形成技術
４.酸化物TFTとその応用
1.酸化物TFT作製プロセス
2.酸化物TFTのデバイス構造
3.酸化物TFTの性能
５.信頼性向上対策
1.酸化物TFTの信頼性評価技術
2.酸化物TFTの劣化メカニズム
3.酸化物TFTの信頼性向上対策
4.Si系TFTとの比較
６.酸化物半導体の展望
1.酸化物TFTの今後
2.新応用技術
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